牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機(jī) Plasmalab 133。刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過(guò)程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個(gè)，是半導(dǎo)體制造中常見(jiàn)的工藝之一。本設(shè)備支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺(tái)）RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率：600W，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點(diǎn)檢測(cè)：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm

射頻功率：600W，13.56MHz
水冷電極：10C-80C
終點(diǎn)檢測(cè)：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）
帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm